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本發(fā)明提供的調(diào)節(jié)ECR離子照射密度控制石墨烯納晶碳膜生長(zhǎng)的方法，利用ECR等離子體濺射系統(tǒng)，通過(guò)調(diào)節(jié)第三磁線圈的電流在0～48A范圍內(nèi)變化，利用過(guò)渡磁場(chǎng)模式對(duì)氬離子進(jìn)行約束，結(jié)合一定的工作氣壓和微波功率，進(jìn)而改變碳膜制備過(guò)程中的離子照射密度。對(duì)不同離子照射密度下制備的碳膜進(jìn)行納米壓痕和納米劃痕測(cè)試，第三磁線圈的電流在0～48A范圍變化時(shí)，離子照射密度能夠?qū)崿F(xiàn)在1.88～26.89mA/cm2范圍內(nèi)變化，受該范圍離子照射密度影響的石墨烯納晶碳膜，石墨烯納晶的平均尺寸在0.66～1.19nm，硬度在6.45～14.63GPa，彈性模量在116.30～179.28GPa，摩擦系數(shù)在0.07～0.38，劃痕深度在2.78～6.36nm，具有更好的力學(xué)和摩擦學(xué)特性。

材料制品>膜材>石墨烯納米晶碳膜; 計(jì)算控制>控制方法>控制